Nitride Semiconductor Technology – Fabrizio Roccaforte, Michael Leszczynski | buch7 – Der soziale Buchhandel
Bitte warten ...
icon suche icon merkliste icon warenkorb
Blick ins Buch

Nitride Semiconductor Technology

Power Electronics and Optoelectronic Devices

The book "Nitride Semiconductor Technology" provides an overview of nitride semiconductors and their uses in optoelectronics and power electronics devices. It explains the physical properties of those materials as well as their growth methods. Their applications in high electron mobility transistors, vertical power devices, LEDs, laser diodes, and vertical-cavity surface-emitting lasers are discussed in detail. The book further examines reliability issues in these materials and puts forward perspectives of integrating them with 2D materials for novel high-frequency and high-power devices.

In summary, it covers nitride semiconductor technology from materials to devices and provides the basis for further research.

Gebunden 09/2020
kostenloser Standardversand in DE auf Lager
Die angegebenen Lieferzeiten beziehen sich auf den Paketversand und sofortige Zahlung (z.B. Zahlung per Lastschrift, PayPal oder Sofortüberweisung).
Der kostenlose Standardversand (2-5 Werktage) benötigt in der Regel länger als der kostenpflichtige Paketversand (1-2 Werktage). Sonderfälle, die zu längeren Lieferzeiten führen können (Bsp: Bemerkung für Kundenservice, Zahlung per Vorkasse oder Sendung ins Ausland) haben wir hier für Sie detailliert beschrieben.
Lieferung bis Do, 08.Dez. (ca. ¾), oder Fr, 09.Dez. (ca. ¼): bestellen Sie in den nächsten 18 Stunden, 11 Minuten mit Paketversand.
Die angegebenen Lieferzeiten beziehen sich auf den Paketversand und sofortige Zahlung (z.B. Zahlung per Lastschrift, PayPal oder Sofortüberweisung).
Der kostenlose Standardversand (2-5 Werktage) benötigt in der Regel länger als der kostenpflichtige Paketversand (1-2 Werktage). Sonderfälle, die zu längeren Lieferzeiten führen können (Bsp: Bemerkung für Kundenservice, Zahlung per Vorkasse oder Sendung ins Ausland) haben wir hier für Sie detailliert beschrieben.
Spenden icon Dank Ihres Kaufes spendet buch7 ca. 5,92 € bis 10,99 €.

Die hier angegebene Schätzung beruht auf dem durchschnittlichen Fördervolumen der letzten Monate und Jahre. Über die Vergabe und den Umfang der finanziellen Unterstützung entscheidet das Gremium von buch7.de.

Die genaue Höhe hängt von der aktuellen Geschäftsentwicklung ab. Natürlich wollen wir so viele Projekte wie möglich unterstützen.

Den tatsächlichen Umfang der Förderungen sowie die Empfänger sehen Sie auf unserer Startseite rechts oben, mehr Details finden Sie hier.

Weitere Informationen zu unserer Kostenstruktur finden Sie hier.

Autoreninformationen

Fabrizio Roccaforte is Senior Researcher at Italian National Research Council's (CNR) Institute of Microelectronics and Microsystems (IMM) in Catania, Italy. He received his PhD from University of Göttingen, Germany in 1999 and worked as Scientific Consultant at STMicroelectronics N.V. in Italy before joining IMM. His research interests are in the field of wide band gap semiconductor materials and materials for power electronics devices. Dr. Roccaforte has authored more than 250 research articles, several review articles, five book chapters, and three patents.

Michal Leszczynski is a Professor of Polish Academy of Sciences at the Institute of High Pressure Physics (Unipress), Warsaw, Poland. He received his PhD (1990) and Habilitation (1996) in Physics from Institute of Physics - Polish Academy of Science, Warsaw. He then did postdoctoral research at Institute of Theoretical Physics, Trieste, Italy and at Institute of Advanced Materials, Brindisi, Italy. He has served as Visiting Professor at Center of Atomic Energy, Grenoble, France and as Advisor at Philips Analytical, Netherlands. Prof. Leszczynski is a co-founder and now vice-president (R&D) of TopGaN Lasers, a spinoff of Unipress. His research interests are nitride semiconductors, optoelectronics, crystal growth, crystal defects, and X-ray diffraction. He has authored more than 350 research articles.

Inhaltsverzeichnis

Introduction to Gallium Nitride Properties and Applications
GaN-Based Materials: Substrates, Growth Methods and Quantum Well Properties
State of the Art of GaN-Based HEMTs for Mm-Wave Applications
Technologies for Normally-Off GaN HEMTs
Status and Perspectives of Vertical GaN Power Devices
Gallium Nitride Light Emitting Diodes
Nitride-Based Laser Diodes
Blue and Green Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
Reliability Issues in GaN HEMTs and LEDs
Integration of GaN with 2D Materials for Novel High Frequency Devices

Produktdetails

EAN / 13-stellige ISBN 978-3527347100
10-stellige ISBN 3527347100
Verlag Wiley-VCH GmbH
Sprache Englisch
Editionsform Hardcover / Softcover / Karten
Einbandart Gebunden
Erscheinungsdatum 02. September 2020
Seitenzahl 445
Illustrationenbemerkung 25 schwarz-weiße und 268 farbige Abbildungen, 16 schwarz-weiße Tabellen
Format (L×B×H) 25,1cm × 17,7cm × 2,7cm
Gewicht 1035g
Warengruppe des Lieferanten Naturwissenschaften - Chemie
Mehrwertsteuer 7% (im angegebenen Preis enthalten)
Bestseller aus dieser Kategorie

Naturwissenschaften - Chemie

Noch nicht das Passende gefunden?
Verschenken Sie einfach einen Gutschein.

Auch hier werden natürlich 75% des Gewinns gespendet.

Gutschein kaufen

Was unsere Kund/innen sagen:

Impressum Datenschutz Hilfe / FAQ